Research Area: FIS/03 - Fisica della Materia
Attività di ricerca
La mia attività di ricerca si focalizza principalmente sullo studio delle proprietà di trasporto in dispositivi nanoelettronici, al fine di comprendere i meccanismi fisici di base e valutare come questi possano essere utilizzati per future applicazioni. In questo contesto sono di particolare interesse i materiali bidimensionali, i quali offrono il minor spessore possibile, la possibilità di combinarli in eterostrutture (laterali e verticali) e la possibilità di studiare e sfruttare proprietà fisiche e di trasporto quali, ad esempio, spin e valle. Recentemente, data la flessibilità dei materiali bidimensionali e la sempre più crescente richiesta di elettronica a basso costo, mi sono interessato ai meccanismi di trasporto in dispositivi stampati con inchiostri basati su materiali 2D. Per la simulazione dei dispositivi vengono utilizzati modelli multiscala, dalla simulazione dei materiali mediante principi primi fino allo studio delle caratteristiche corrente-tensione.
Pubblicazioni recenti
- Simulations of 2-D Materials-Based Field Effect Transistors for Quantum Cascade Detectors [2024]
- Electrically tunable lateral spin-valve transistor based on bilayer CrI3 [2023]
- Multiscale Simulations of 2-D Material Ink-Based Printed Network Devices [2023]
- Multi-scale simulations of two dimensional material based devices: the NanoTCAD ViDES suite [2023]
- Rhombohedral-stacked bilayer transition metal dichalcogenides for high-performance atomically thin CMOS devices [2023]