Research Area: FIS/03 - Fisica della Materia
Attività di ricerca
La ricerca si concentra sullo studio numerico di semiconduttori innovativi, compatibili con il Silicio e realizzati con elementi del gruppo IV allo scopo di sviluppare dispositivi CMOS integrati per la fotonica, la spintronica, la computazione quantistica e la termoelettricità. L’attività è svolta in collaborazione con gruppi sperimentali in Italia e all’estero e spazia da questioni di base di scienza dei materiali fino alla predizione e all’ottimizzazione delle performance dei dispositivi. Un’enfasi particolare è data allo studio di complesse strutture tunnelling bidimensionali nelle quali il controllo del profilo chimico e della deformazione di reticolo sono sfruttati come parametri di design per ingegnerizzare lo spettro elettronico di sottobanda che controlla le proprietà ottiche e di trasporto. Gli interessi più recenti sono diretti alla dimostrazione di un laser THz a cascata quantica integrabile, basato su leghe di Silicio/Germanio, all’ottimizzazione di array di punti quantici di Germanio per la computazione quantistica e allo sviluppo di materiali 2D per l’ottica integrata che esibiscono effetti di non linearità giganti.