Research Area: PHYS-04/A - Fisica Teorica della Materia, Modelli, Metodi Matematici e Applicazioni
Attività di ricerca
La ricerca si concentra sullo studio numerico di semiconduttori innovativi, compatibili con il Silicio e realizzati con elementi del gruppo IV allo scopo di sviluppare dispositivi CMOS integrati per la fotonica, la spintronica, la computazione quantistica e la termoelettricità. L’attività è svolta in collaborazione con gruppi sperimentali in Italia e all’estero e spazia da questioni di base di scienza dei materiali fino alla predizione e all’ottimizzazione delle performance dei dispositivi. Un’enfasi particolare è data allo studio di complesse strutture tunnelling bidimensionali nelle quali il controllo del profilo chimico e della deformazione di reticolo sono sfruttati come parametri di design per ingegnerizzare lo spettro elettronico di sottobanda che controlla le proprietà ottiche e di trasporto. Gli interessi più recenti sono diretti alla dimostrazione di un laser THz a cascata quantica integrabile, basato su leghe di Silicio/Germanio, all’ottimizzazione di array di punti quantici di Germanio per la computazione quantistica e allo sviluppo di materiali 2D per l’ottica integrata che esibiscono effetti di non linearità giganti.
Pubblicazioni recenti
- Asymmetric-coupled Ge/SiGe quantum wells for second harmonic generation at 7.1 THz in integrated waveguides: a theoretical study [2024]
- High-quality CMOS compatible n-type SiGe parabolic quantum wells for intersubband photonics at 2.5–5 THz [2024]
- Mid-infrared second harmonic generation in p-type Ge/SiGe quantum wells: Toward waveguide integration [2024]
- Nanoheteroepitaxy of Ge and SiGe on Si: role of composition and capping on quantum dot photoluminescence [2024]
- Room Temperature Lattice Thermal Conductivity of GeSn Alloys [2024]